TRP

Другие идентичные по назначению опции: DRAM Timing tRP, Row Precharge Time, DRAM RAS Precharge, SDRAM RAS# Precharge.

Параметр - TRP

Функция tRP входит в категорию опций BIOS, предназначенных для тонкой настройки параметров работы оперативной памяти компьютера. Возможные значения данной опции зависят от технологии изготовления модулей оперативной памяти (ОЗУ) и, как правило, указываются в тактах системной шины. Диапазон значений опции достаточно широк и варьируется в пределах от 2 до 10 тактов. Кроме того, функция может принимать и значение Auto (Автоматический выбор). Во многих BIOS опция может носить также и другие названия.

Принцип работы

Название функции tRP расшифровывается как Time to RAS Precharge (Период для предварительного заряда RAS).

Для того, чтобы разобраться с принципом работы опции, необходимо совершить небольшой экскурс в подробности функционирования микросхем оперативной памяти. Сигналом RAS (Raw Adress Strobe, строб адреса строки) называется специальный сигнал, который позволяет контроллеру микросхемы памяти выбирать определенную строку памяти. Совместно с другим сигналом, CAS  (Column Adress Strobe, строб адреса колонки) сигнал RAS может осуществлять считывание нужной ячейки памяти.

Также сигнал RAS используется при проведении регенерации оперативной памяти. Поскольку оперативная память относится к категории динамической ОЗУ, то ее ячейки через определенный промежуток времени разряжаются и требуют периодической перезарядки. Поэтому данные, содержащиеся в динамической памяти, время от времени  регенерируются (обновляются).

Описываемая опция определяет количество циклов (тактов системной шины), которые отделяют снятие сигнала RAS, прекращение работы со строкой данных и включение специального сигнал предварительного заряда Precharge от момента активизации строки данных. Фактически время предварительного заряда определяет тот период, в течение которого строка памяти является неактивной. Во время этой паузы происходит регенерация строки памяти, то есть, запись из буфера в строку памяти информации, сохраненной на предварительном этапе.

Время предварительного заряда входит в стандартный рабочий цикл модулей ОЗУ. Поэтому, если время предварительного заряда RAS слишком велико, то оно может отрицательно повлиять на производительность модулей ОЗУ, и как следствие,  всего персонального компьютера. Уменьшение же времени предварительного заряда RAS увеличивает производительность модулей ОЗУ благодаря тому, что уменьшается время активизации новых строк памяти. Из этого следует, что опция tRP и подобные ей опции могут оказаться полезными при проведении мероприятий по разгону оперативной памяти и оптимизации ее работы.

Однако сокращение времени предварительного заряда, например, до значения в 2 такта системной шины может привести к негативным последствиям. Столь маленькое время заряда может быть недостаточным для регенерации многих модулей ОЗУ и привести к тому, что активная строка может потерять свое содержимое. Также это может привести к повреждению данных во время обращения контроллера ОЗУ к строке для операций чтения или записи.

Значения количества тактов, которые указываются в опции в качестве вариантов, зависят от типа установленных на материнской плате модулей памяти. Для модулей, изготовленных по технологии DDR SDRAM эти значения могут составлять от 2 до 4 тактов, для DDR2 SDRAM – от 3 до 6, для DDR3 SDRAM – от 6 до 9.

Также в опции может присутствовать значение Auto, при этом информация о времени перезарядки будет браться из специальной микросхемы SPD, которой снабжены модули памяти.

Стоит еще отметить, что не следует путать данную опцию с другой опцией BIOS – Refresh RAS Active Time, которая определяет длительность самого сигнала RAS.

Какое значение выбрать?

В большинстве случаев лучше всего оставить значение Auto, чтобы BIOS автоматически смогла бы выбрать нужный параметр времени предварительного заряда памяти.

Если вы хотите увеличить быстродействие ОЗУ, то рекомендуется установить минимальное значение. Однако если система при этом работает нестабильно, то лучше всего увеличить значение времени предварительного заряда.

Порекомендуйте Друзьям статью: